德國(guó)E+H數(shù)字式ORP電極

Memosens CPF82E

電極采用Memosens 2.0數(shù)字技術(shù)，結(jié)構(gòu)緊湊，適用于污水、冶金、采礦和基礎(chǔ)原材料行業(yè)

產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)

測(cè)量范圍

-1500...+1500 mV

過程溫度

-10...110°C

(14...230°F)

過程壓力

最大10 bar

(145 psi)

德國(guó)E+H數(shù)字式ORP電極應(yīng)用領(lǐng)域

Memosens CPF82E是數(shù)字式ORP電極，堅(jiān)固耐用，能夠在嚴(yán)苛工況下穩(wěn)定測(cè)量ORP值。采用抗污型PTFE隔膜，低維護(hù)工作量，自帶安裝支架，安裝便捷。CPF82E采用Memosens 2.0 數(shù)字技術(shù)，具有高過程完整性，操作非常簡(jiǎn)單。防水防潮設(shè)計(jì)，允許實(shí)驗(yàn)室傳感器標(biāo)定，支持?jǐn)U展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，保存標(biāo)定參數(shù)和過程參數(shù)。是實(shí)施預(yù)維護(hù)的基礎(chǔ)。

Memosens CPF82E ORP電極堅(jiān)固耐用，適用于采礦行業(yè)應(yīng)用，以及水和污水處理。它能夠監(jiān)測(cè)：

進(jìn)水口和出水口

中和工藝

浮選工藝

浸出工藝

通過CSA C/US認(rèn)證，可以在防爆0區(qū)、1區(qū)和2區(qū)中使用。

德國(guó)E+H數(shù)字式ORP電極優(yōu)勢(shì)

Memosens 2.0支持?jǐn)U展儲(chǔ)存單元，保存標(biāo)定參數(shù)和過程參數(shù)，能夠更好地進(jìn)行趨勢(shì)識(shí)別，為未來(lái)實(shí)施預(yù)維護(hù)和改進(jìn)IIoT工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)提供基礎(chǔ)。

高長(zhǎng)期穩(wěn)定性：雙隔膜結(jié)構(gòu)，更好地防止離子毒性擴(kuò)散，比如S2-或CN-。

聚合物外殼堅(jiān)固耐用，避免機(jī)械損傷。

電極可以安裝在流通式和浸入式安裝支架中

采用非接觸式感應(yīng)信號(hào)傳輸方式，具有高過程安全性。

盡可能縮短生產(chǎn)停機(jī)時(shí)間，延長(zhǎng)了電極使用壽命，降低了運(yùn)營(yíng)成本。

E+H Memosens 數(shù)字式 ORP 電極完整運(yùn)行邏輯（電化學(xué)底層 + Memosens 數(shù)字化傳輸全鏈路）

E+H ORP 數(shù)字電極核心分為兩大模塊：前端電化學(xué)復(fù)合電極（產(chǎn)生原始 mV 電位信號(hào)） + 尾部 Memosens 2.0 數(shù)字傳感單元（信號(hào)調(diào)理、非接觸電感傳輸、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)），配套 Liquiline 系列變送器（CM42、CM44、CM50 等）完成運(yùn)算、補(bǔ)償、輸出至 DCS/PLC。

主流型號(hào)：CPS12D/CPS12E、CPS16E（pH/ORP 二合一）、CPF82D 礦用 / 污水專用 ORP 電極。

德國(guó)E+H數(shù)字式ORP電極第一階段：電化學(xué)基礎(chǔ)測(cè)量機(jī)理（模擬原始信號(hào)生成）

ORP 核心電化學(xué)原理（能斯特方程）

ORP 即氧化還原電位，表征溶液中所有氧化性、還原性物質(zhì)電子得失的總趨勢(shì)，單位 mV。

E+H 采用惰性貴金屬指示電極 + Ag/AgCl 雙腔參比電極構(gòu)成原電池回路：

ORP 指示電極（測(cè)量極）

絕大多數(shù)工況：鉑 Pt 環(huán)電極（脫硫、泳池余氯、廢水氧化還原、電鍍六價(jià)鉻還原）；

強(qiáng)氧化介質(zhì)（臭氧、分解）：選配金 Au 電極，抗電極表面鈍化中毒；

鉑 / 金為惰性導(dǎo)體，自身不參與化學(xué)反應(yīng)，僅捕捉溶液界面電子轉(zhuǎn)移，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)電位。

雙腔體 Ag/AgCl 參比電極（基準(zhǔn)極，E+H 核心抗中毒設(shè)計(jì)）

恒定電位基準(zhǔn)，消除環(huán)境波動(dòng)干擾：

雙鹽橋結(jié)構(gòu)：內(nèi)層 KCl 電解液，外層硝酸鉀 KNO?離子捕捉阱；

大面積 PTFE 環(huán)狀隔膜，阻擋 S2?、CN?、重金屬離子滲入內(nèi)部造成參比電極中毒失效，大幅延長(zhǎng)壽命；

參比電極輸出固定參考電勢(shì)，儀器最終測(cè)得鉑電極與參比電極之間的電位差 ΔE（-1500mV ~ +1500mV），即為原始 ORP 毫伏信號(hào)。

內(nèi)置 NTC30K 溫度傳感器

嵌入電極桿內(nèi)部，實(shí)時(shí)采集介質(zhì)溫度，用于溫度系數(shù)補(bǔ)償（能斯特方程電位隨溫度漂移修正），同時(shí)可獨(dú)立上傳介質(zhì)溫度數(shù)據(jù)。

E+H數(shù)字式ORP電極復(fù)合電極內(nèi)部等效電路

待測(cè)溶液 ? 鉑測(cè)量極 → 阻抗微弱 mV 電壓 ? 電解液鹽橋 ? Ag/AgCl 參比電極，形成完整閉合原電池；

模擬信號(hào)特點(diǎn)：高內(nèi)阻微弱電壓信號(hào)，極易受線纜電容、EMC 工頻干擾，這也是 E+H 用 Memosens 數(shù)字化改造的核心出發(fā)點(diǎn)。